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力合創投今日官微消息，力合創投在孵在投企業瑞波光電作為國內激光雷達發射芯片供應商，日前推出具備自主核心技術的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，波長隨溫度變化系數小于0.09nm/K，部分型號達到0.06nm/K，在溫度漂移特性已經接近甚至優于VCSEL，實現了國產905nm EEL芯片的重大技術突破，填補了國內空白，同時削弱了VCSEL的競爭優勢。據悉，在過去的2022年，瑞波905nm EEL激光雷達發射芯片通過車規AEC-Q102里四項測試項目，包括HTOL、WHTOL、 PTC 和ESD-HBM。瑞波光電目前已經與國內多家頭部激光雷達廠商展開深度合作，并實現批量的應用。
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